- 环境与耐久试-
环境与耐久试目的
一N品质的电(sh)源除?jin)要有高性能、高能效外，q必d有高可靠性。而其内部使用的功率器Ӟ?x)根据用的环境与情늚不同而受到媄(jing)响，从而媄(jing)响到整个产品的电(sh)气性能以及(qing)使用寿命。因此在开关电(sh)源的研发?qing)生产过E中Q必进行环境与耐久试Q测试电(sh)源在不同使用环境下的性能Q以保产品h_的稳定性、可靠性及(qing)使用寿命?/span>
环境与耐久试目?qing)内?/strong>
?开兛_@环测?/span>
?元g温升试
?? 低温操作试
?? 低温存储试
?低温启动试
?温度循环试/ L(fng)冲击试
-温度相关试-
元器件温升试验：(x)
开关电(sh)源在q行Ӟ内部元g的温度将?x)升高，如果温度过规定|造成内部元g的寿命羃短或损坏Q因此需要对元器件进行温升试验，试开关电(sh)源在规定的操作环境、电(sh)压和负蝲条g下时Q元器g的温升状c(din)?/span>
试条gQ将被测甉|攄在规定的环境温度中，依线路情况先定温升比较高的元gQ将热电(sh)偶粘贴在元g表面。设|好规定的输入电(sh)压、频率、输?gu)载后开机，q记录输入功率和输出?sh)压。同时用记录仪记录元件的温升曲线直至温升E_?span style="font-size:12px;">
高(sh)温测试：(x)
开关电(sh)源内部的器g׃温度膨胀pL不同Q在温度变化时会(x)Ҏ(gu)体的性能产生影响Q加速A器老化Q羃短用寿命。因此需要进行高?sh)温试来测试?sh)源内部器件在极端使用环境下的耐久性。试验项目包括高/低温操作试Q高/低温存储试、低温启动测试、冷热冲?yn)L试?/span>
-开兛_@环测?
开机gq时间测试：(x)
开关电(sh)源用的半导体功率器Ӟ在上?sh)和断?sh)旉?x)受到冲凅R所以需要对开关电(sh)源进行电(sh)源开兛_@环试验，试甉|在满载的情况下是否能q箋(hu)承受开x(chng)作下的冲击，保甉|的耐久性?/span>试条gQ将被测甉|攄在室温环境中Q输入电(sh)?15Vac/230VacQ输?gu)载?f)满蝲。将被测甉|开关ONQ持l时间ؓ(f)5sQ然后将开x(chng)到OFFQ持l时?sQ重复此q程。一ơ开关的q程Z个测试周期，整个试验需持箋(hu)臛_5000个周期。试验过E中每完?000个周期，记录被测开关电(sh)源的输入功率和输出电(sh)压。待试验l束后，如果待测产品在试验前后的甉|性能没有差异Q则通过此试验?/span>
q需要测试设备具有够长的存储，可以在保持较高采L(fng)的情况下q行长期波Ş捕捉?/span>
IGBT(l缘栅双极型晶体?Q既有MOSFET器g驱动功率和开关速度快的特点(控制和响?Q又有双极型器g饱和压降低而容量大的特?功率U较用)。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正?sh)压Q则MOSFET导通，q样PNP晶体的集电(sh)极与基极之间成低ȝ态而得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电(sh)压ؓ(f)0VQ则MOSFET截止Q切断PNP晶体基极电(sh)的供给Q晶体截止。因此，IGBT安全可靠与否主要׃下因素决定：(x)
?IGBT栅极与发极、集甉|与发极之间的电(sh)?/span>
?过IGBT集电(sh)极－发射极的甉|
?IGBT的结?/span>
