? 常见噪声来源和性质
从图1可以看出q扰源绝大部分来源于商用甉|和高?sh)频信号叠加。横沌录A本n具备较强的抗q扰能力Q配合外部的处理Q可以有效实现噪声抑制?/span>q扰的成?/span>
共模q扰
q扰来源于记录A内的地线与信h之间Q同时加在输入端?H、L 两端Q所以如果测试电(sh)路完全对地绝~，׃应受影响。如??/span>
? 共模?sh)?(C意?
串模q扰 试?sh)\中发生的q扰。存在于输入端子H与L之间Q叠加在真实信号上。如??/span>
? 串模?sh)?(C意?
如何消除q些q扰呢？当存在共模噪声ECM、噪声电(sh)iHO和iLOl过ZHO和ZLO的接地阻抗以?qing)ZCO的耦合LQ在输入端子H和L之间产生?jin)串模噪声ENM。因此通常共模噪Cq种方式转换Z模噪声的转换比率作ؓ(f)量仪器的抗噪特性，UCؓ(f)共模抑制比。如??/span>
? 共模噪声转换Z模噪声的机制
Ҏ(gu)?可以得出串模噪声ENM的公式?/span>
Ҏ(gu)上面的公式可以ȝZ条抑制串模噪声的l验Q?/span>
1Q尽可能减小接地LZHO和ZLO
2Q尽可能增大耦合LZCO
噪声抑制的本质就是防止各UŞ式的共模噪声转换Z模噪声?/span>
记录仪抗q扰性设?/span>
光电(sh)耦合l缘
理想状态下记录仪模块内部接地阻抗无I大可实现对地的完全l缘Q但实际上测量输入端子内部H、Lh接线?sh)阻RHI和RLIQ以?qing)它们的接地LZHI和ZLI。只有尽可能增大?sh)\的整体接地阻抗ZCIQ才能将入模块的噪声电(sh)iHI、iLI抑制在很的范围内。如??/span>
? 隔离?sh)\C意?/span>
横河记录仪模块通过配置隔离?sh)\增加接地L的同Ӟq可有效预防不慎高压冲击对设备及(qing)n安全的危実?/span>使用抗干扰模?
记录仪模块种cd?0通道扫描型和4通道独立A/D(H0模块)两种Q其中扫描型模块的输入开兛_件导通电(sh)d共模抑制比的影响也存在差异。如??/span>
? 模拟输入模块输入开兛_件示意图
因ؓ(f)输入端子H和L中的接线?sh)阻RHI和RLI包括输入开兛_件的导通电(sh)阻，所以输入开兛_件的导通电(sh)阻越，共模噪声转换Z模噪声的转换量也小?/span>
? 输入开兛_件导通电(sh)d(qing)通道间耐压
参考表1模块cd的导通电(sh)d|如果量受到高频开关等噪声影响Q高速通用型和늣l电(sh)器型模块在多数情况下行之有效?/span>一阶滞后o(h)波器
当测量包含噪声的输入信号Ӟ一阶滞后o(h)波器提供噪声抑制能力。o(h)波系?旉常数)大Q噪声抑制效果越好。但是，如果滤LpL讄的D大，其L形可能会(x)q?/span>
?一阶滞后o(h)波效?/span>
外部处理单点接地
工作频率低的场合采用单点接地的方式，以防两点接地产生共地L的电(sh)路性耦合?/span>
? 单点接地使用功率计和记录仪示?/span>
在图8CZ中，Z(jin)防止被测对象中高频成分回，可将铁氧体磁芯插入记录A一侧的接地Uѝ?/span>늣耦合屏蔽
如果׃安装位置的限制而难以与噪声源保持够的距离Q则带屏蔽层的绞U（双绞U）(j)是有效的。ƈҎ(gu)实际情况采取不同接地Ҏ(gu)。如??/span>
?늣耦合屏蔽
热电(sh)偶前端绝~?Z(jin)增加耦合L抑制共模q扰Q热?sh)偶前端应通过聚酯薄膜{绝~(sh)来隔l噪声源?/span>
?0聚脂薄膜隔绝开兛_?/span>
需要注意的是，l缘?sh)的厚度会(x)?jing)响测量结果。但是，聚酯薄膜的厚度越薄，功率晶体?FET与热?sh)偶之间的?sh)容耦合强Q由
得出耦合L也越?/span>
q扰问题往(xin)往(xin)很难有统一明确的解x(chng)?要根据干扰的U类对症下药。因此寻扑ֹ扰的成因和进行多U经验性尝试都是必要的?/span>得出耦合L也越?/span>
